安普电缆

　　每个固定输出电压都可以通过外部反馈分压器在初始设定点以上调整。这使 GM12071 可提供 1.2V 至 VIN VDO 的输出电压且具有高 PSRR 和低噪声。
　　GM12071 提供 6 引脚 DFN 和 8 引脚 SOP 封装。仅有DFN 封装支持通过外部电容进行用户可编程软启动。
　　GM12071可替代ADI的ADP7104、ADP7102等系列产品。
安普电缆　　理论上，NAND芯片的堆叠层数越多，其输入输出效率越高、读写速度越快、功耗越低，在相同容量情况下物理空间占用越小。在美光公司媒体交流会上，美光存储事业部 NAND 产品生命周期管理及应用工程总监Daniel Loughmiller回应了记者对堆叠层数的关注.
近日推出两项全新的CoolGaN?产品技术：CoolGaN双向开关（BDS）和CoolGaN? Smart Sense。CoolGaN BDS拥有出色的软开关和硬开关性能，提供40 V、650 V 和 850 V电压双向开关，适用于移动设备USB端口、电池管理系统、逆变器和整流器等。

推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（MPS）结构设计，具有高浪涌电流保护能力，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低，有助于提升开关电源设计能效和可靠性。
与模拟控制电源相比，这种电源无需考虑设计裕量，从而有助于缩小电源的体积并提高电源的可靠性。此外，由于工作日志数据可以存储在微控制器内的非易失性存储器中，因此非常适用于要求存储日志作为故障时备份的工业设备电源。
安普电缆可用于多个终端市场的各种应用。此次发布的产品包括用于PoE、eFuse和继电器替代产品的100 V 应用专用MOSFET (ASFET)，采用DFN2020封装，体积缩小60%，以及改进了电磁兼容性(EMC)的40 V NextPowerS3 MOSFET
　　凭借客户可配置的 PWM 或 SENT 输出，HAL/HAR 3936 能够提供灵活性，以适应各种应用场景需求。在 SENT 模式下，传感器遵循 SAE/J2716 Rev.4 标准，具备可配置的参数，如时间指示和帧格式。此外，该传感器具有两种功能模式，即应用模式和低功率模式，可通过输入信号进行选择，从而能够根据操作要求优化功耗。
　　Cortex-M33可将静态功率降低至36微瓦，适用于需要延长电池使用时间的应用。Cortex-A35是Cortex-A7的升级版，从32位到64位，性能提升了40%，主运行负载仅为1.62W。NXP i.MX 8ULP设备还提供3D/2D GPU和4-lane MIPI DSI并行显示接口，以满足工业HMI图形需求。此外，该方案提供UART、GPIO、I2C、FlexCAN和快速以太网接口支持边缘数据收集、控制和传输。

44系列具有非常高的额定功率，同时更加环保。尽管干簧可能无法实现无弹跳操作，但其更环保的结构对于可持续发展非常有帮助。与小型电磁继电器(EMR)相比，舌簧继电器在性能和隔离方面表现出色，显著提高了应用效率和可靠性。舌簧继电器具备更快的开关速度和更长的机械寿命，进一步提高了产品的竞争力。
安普电缆　　传统半桥驱动在电机启动的过程中会产生较高的电流，从而引起电路抖动，并影响整个系统的稳定性和可靠性。SC77708Q 采用电流截断的方法限制电流，工程师可通过自由配置 DAC 实现不同的截断电流阈值，让系统设计更灵活可靠。
　　RS2130芯片采用5*5*1.2mm QFN封装形式，基于莱斯能特自主研发的创新型架构，ASIC及MEMS均采用车规工艺，量程为±2g至±16g，多档可选，XY轴噪声小于30 ug/sqrt(hz)，特别是在大带宽时噪声表现优异，48KHz ODR不开滤波器情况下总的输出RMS噪声小于5mg。在4kHz时延时小于100 us，芯片可直接对接A2B收发器，支持多种TDM模式，可配置性强，14位ADC输出。
以之前的Wi-Fi 6项目为例，客户在使用这套验证系统后，仅用了3个月的时间便完成了SoC流片前的硬件性能测试分析，并基于真实的芯片使用场景，提前进行软件开发及验证，客户整体缩短了验证周期和产品导入周期 大大提升了40%的验证效率。