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全球功率系统和物联网领域的半导体英飞凌近日推出业界首款抗辐射（rad hard）1 Mb和2 Mb并行接口铁电RAM（F-RAM）非易失性存储器。这款存储器是英飞凌丰富存储器产品组合中的新成员，其特点是具有出色的可靠性和耐用性，在85摄氏度条件下的数据保存期长达 120 年，并且能以总线速度进行随机存取和全存储器写入。
罗森伯格　　CoolGaNBDS高压产品分为650 V 和 850 V两个型号，采用真正的常闭单片双向开关，具有四种工作模式。该系列半导体器件基于栅极注入晶体管（GIT）技术，拥有两个带有衬底终端和独立隔离控制的分立栅极。
　　半导体检测以及数字化转型应用需要快速处理大量的数据与影像，以确保高效率的营运和的分析。这些应用对于数据处理速度、可靠性和精度有着极高的要求，进而支持实时决策和优化流程。

　　日前发布的新一代SiC二极管包括5 A至40 A器件，采用TO-220AC 2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封装和D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面贴装封装。由于采用MPS结构——利用激光退火背面减薄技术——二极管电容电荷低至28 nC，正向压降减小为1.35 V。
英飞凌科技股份公司近日推出两项全新的CoolGaN?产品技术：CoolGaN双向开关（BDS）和CoolGaN Smart Sense。CoolGaNBDS拥有出色的软开关和硬开关性能，提供40 V、650 V 和 850 V电压双向开关，适用于移动设备USB端口、电池管理系统、逆变器和整流器等。
　　英飞凌科技股份公司推出了一系列适用于工业和消费电机控制以及电源转换系统应用的新型微控制器 (MCU)。基于 Arm Cortex -M33 内核的PSOC控制 MCU提供板载功能，旨在提高下一代电机控制和电源转换系统的性能和效率。这些应用包括家用电器、电动工具、可再生能源产品、工业驱动器以及照明和计算/电信电源。
　　为实现高S参数，新产品采用了TDK专有的设计结构以及优化材料，以减少电容引起的信号失真的影响，并有效抑制共模噪声。不仅如此，TDK 的创新高精度自动绕线技术确保了品质稳定和高可靠性。
在基于Galaxy AI的能量得分与健康小贴士功能帮助下，用户可以更加具体地了解身体信息，并通过个性化健康建议以及自动检测健身、久坐提醒等功能提升健康水平。戒指充电盒拥有如水晶般清澈的外观，并支持无线充电，用户可以通过多功能按钮周围的灯光轻松了解当前的充电电量。

　　AI 工作负载需要高性能的存储解决方案。9550 SSD 凭借其卓越的顺序和随机读写速率为 AI 用例解锁了出众性能。例如，大型语言模型（LLM）需要高顺序读取速率，而图形神经网络（GNN）则需要高随机读取性能。
罗森伯格同时，SC200P系列集成功能丰富的接口，如 LCM、摄像头、触摸屏、麦克风、扬声器、UART、USB、I2C 以及 SPI 接口等，极大地助力客户后期在应用场景与开发设计上大有可为。
CoolMOSS7TA 功率晶体管的优化利用不仅确保了出色的性能，还实现了对输出级的精准控制。这种精准度是降低功耗和能源成本的关键，也是汽车应用中亟需解决的问题，因为效率直接转化为汽车的续航里程和运行经济性。与传统的机电式继电器相比，CoolMOS? S7TA的总功耗实现了大幅降低。
　　谷歌首次提供两种尺寸的 Pro 机型，Pixel 9 Pro 和 9 Pro XL 分别提供 6.3 英寸和 6.8 英寸尺寸。标准版 Pixel 9 配备 6.3 英寸显示屏，而 Pixel 9 Pro Fold 配备 6.3 英寸盖板显示屏，可展开为 8 英寸显示屏。