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　　在当前的科技浪潮中，越来越多的AI（人工智能）的应用运算正发生在Edge（边缘）端。企业需要适合Edge端环境的硬设备，以满足实时数据处理和分析的需求，企业需要在厂内进行机密信息的运算，确保数据不会外流，这些设备必须能够应对不同于数据中心的挑战。
amphenolCoolGaN? Smart Sense 产品具有无损电流检测功能，简化了设计并进一步降低了功率损耗，同时将各种晶体管开关功能集成到一个封装中，适用于消费类USB-C 充电器和适配器。
ISM330BX 的诸多节能特性可帮助工程师实现创新的工业传感器等电池供电的智能设备，升级现有的工业资产，提高智能化水平，迎接工业 5.0的到来。

　　新产品采用东芝专有的SOI工艺（TarfSOI），实现了非常高的带宽：TDS4B212MX的－3 dB带宽（差分）为27.5 GHz（典型值），TDS4A212MX为26.2 GHz（典型值），在业界处于领先地位[1]。因此，新产品可用作PCIe5.0、USB4和USB4Ver.2等高速差分信号的Mux/De-Mux开关。
　　相较于传统的D2PAK-7L封装，表贴TOLL封装的结壳电阻（RTH,J-C）要低9%，PCB占位面积也要小30%，厚度低50%并且整体尺寸少60%，有利于打造功率密度的解决方案，如纳微的4.5kW高功率密度AI服务器电源。此外，由于其具备仅为2nH的封装电感，可实现卓越的高速开关性能和的动态损耗。
　　Bourns 通过四种 DIN 导轨安装设备系列为交流或直流电源轨提供 IEC 级电涌保护。
　　1270 系列交流电涌保护器符合 IEC/EN 61643-11 I 级 + II 级 / T1+T2 标准
　　1280 系列也是一样，但增加了一个热断路器，“从而无需上游过流保护”，Bourns 说道。
　　1430 系列直流电涌保护器符合 IEC/EN 61643-31 I 级 + II 级 / T1+T2 标准
　　1440系列：同样的，加上一个热断路器“有助于消除对上游过流保护的需求”，Bourns说。
　　所有产品均基于 MOV，并提供故障指示窗口和远程警报输出。
这种创新解决方案允许工程师定制TacHammer DRAKE电机的性能，提供增强的触觉反馈，无需定制触觉电机。
　　该工艺还可以降低插入损耗，通常在 5GHz 时可降低至 0.6dB。
　　这是在 25°C 时，值为 0.9dB。在 -40 至 +95?C 的整个温度范围内，从 0.7 至 3GHz 增加到 0.8dBmax，从 3 至 5GHz 增加到 1dBmax。

英飞凌丰富的开发基础架构和对强大安全性的承诺能让设计人员受益，同时，英飞凌还支持安全启动和执行环境以及加密加速以保护敏感数据。
amphenol　　SIM（用户身份模块）能够对电信运营商网络中的设备进行身份验证。SIM拥有不同的封装形式，而且尺寸随着时间的推移不断缩小，以满足设备制造商节省空间的需求。
　　CoolGaN? BDS 40 V是一款基于英飞凌肖特基栅极氮化镓自主技术的常闭单片双向开关。它能阻断两个方向的电压，并且通过单栅极共源极的设计进行了优化，以取代电池供电消费产品中用作断开开关的背对背 MOSFET。首款40 V CoolGaN? BDS产品的 RDS(on) 值为 6 mΩ，后续还将推出一系列产品。
　　第三代650V快速碳化硅MOSFET凭借坚固、热性能强的TOLL封装，为关键、高可靠性、高效率的应用带来功率密度
　　纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布为其的第三代快速碳化硅（G3F）MOSFETs产品组合新增一款坚固耐用的热性能增强型高速表贴TOLL封装产品，能为大功率、可靠性要求高的应用带来高效、稳定的功率转换。