安普官网

　　G3F GeneSiC MOSFETs 基于纳微专有的“沟槽辅助平面栅”技术研发，既拥有优于沟槽栅MOSFET的性能，还具备比竞争对手更强的鲁棒性、可制造性和成本效益。G3F MOSFETs 同时具备高效和高速的性能，可使器件的外壳温度降低高达25°C，比市场上其他厂商的碳化硅产品的寿命长3倍。
安普官网单列直插式封装(SIP)舌簧继电器提供高达2A的开关电流，输出功率高达60w；或1A开关电流，功率高达80w，连续承载电流高达3A。此外，它还具有耐高压能力，10W功率水平下开关电压可达1000VDC，耐压可达3kV。
　　A6983非隔离式转换器可以输出高达 3A 的负载电流，在满负载时典型能效达到 88%。A6983C低功耗转换器是针对轻负载工况优化设计，具有高能效和低输出纹波的特性，在停车后汽车系统仍然运转时，可限度地减少车辆电池的耗电量。A6983N是一款开关频率恒定的低噪转换器，可限度地减少转换器在整个负载范围内的输出纹波，提高车载音响系统电源等应用的性能。两种产品都提供 3.3V、5.0V 和 0.85V 至 VIN可调输出电压。

为进一步满足更多应用场景的拓展，SC200P系列集成多星座GNSS 接收机，支持 GPS、GLONASS、BDS、Galileo 多种定位系统，可实现不同环境对快速、精准定位的要求。
　　PSoCTM 4 HVPA-144K 的双高分辨率模数转换器（Σ-Δ型模数转换器）连同四个数字滤波通道一起通过测量电压、电流、温度等关键参数，实现对电池充电状态（SoC）和健康状态（SoH）的测量，测量精度高达±0.1%。该半导体器件拥有两个带有自动增益控制的可编程增益放大器（PGA），无需软件干预即可实现模拟前端的完全自主控制。与传统的霍尔传感器相比，采用分流式电流传感器的电池精度更高。
安普官网根据 ISO 26262 标准开发的 HAR 3920 符合 ASIL C 级要求，适合集成到 ASIL D 级的汽车安全相关系统中。此传感器适用于油门踏板位置或节流阀位置测量，或非接触式电位器等应用场景。**计划于 2024 年 4 月投产；样品现在可应要求提供。
144系列比水银舌簧继电器更加环保，比电磁继电器的性能更加优越，其低水平性能和高隔离性能具有显著优势。
　　SK海力士的GDDR7能够以32Gbps的速度运行，比上一代快60%以上。“已经证实，根据使用环境，速度可以达到40Gbps，”SK海力士官员说。该产品可用于的显卡，每秒处理超过1.5TB的数据。这相当于一秒钟处理300部全高清（5GB）电影数据的速度。

此外，TOLT 器件还与英飞凌采用Q-DPAK封装的 CoolSiC? 750 V这一顶部散热CoolSiC? 工业产品组合形成了互补。当器件所需的电源不需要Q-DPAK封装时，开发者可使用TOLT器件减少SiC MOSFET占用的 PCB 面积。
安普官网　　与所有英飞凌 MCU 一样，英飞凌 PSOC 控制系列由 ModusToolbox 软件开发生态系统支持，该生态系统包括用于产品评估和生产的构建块。这些模块包括无刷和永磁电机的磁场定向控制 (FOC)、功率转换算法（PFC、LLC、Buck 等）和设备驱动程序。还包括评估板、系统参考设计、调试器和基于 PC 的开发工具。
HL8545 需要外部接地二极管来防止电池反向电流从地流向电池，而 HL8545G 整合了防反二极管，不需要外部器件。
虽然带有大显示屏的示波器在工作台上使用效果很好，但我们还是有很多客户要求提供适合机架安装应用的示波器。同时，我们也有客户需要大通道数，例如在物理领域。通过 MXO 5C，我们创造了一种独特的仪器，为这两种需求提供了性能。新的外形尺寸允许将多个通道靠近放置。MXO 5C的八通道型号可提供每通道 1500 立方厘米的通道密度，每通道功耗仅为 23 瓦。