erni连接器

　　MAX32690 MCU采用68引线TQFN-EP（0.40mm间距）封装和140焊球WLP（0.35mm间距）封装。该器件适用于工业环境，额定温度范围-40°C至+105°C，目标应用包括有线和无线工业通信、可穿戴和可听戴健身及健康设备、可穿戴无线医疗设备、IoT和IIoT以及资产跟踪。
erni连接器管式包装还能更好地保护元件，可有效避免贴片过程中可能出现的物理损坏。此标准化设计包装可与多种自动贴装设备无缝适配，确保平稳高效的操作并可实现在不同生产批次之间的快速设置和转换。
　　器件采用倒装芯片技术增强散热能力，热阻比竞品MOSFET低54 %。SiZF4800LDT导通电阻和热阻低，连续漏电流达36 A，比接近的竞品器件高38 %。 MOSFET独特的引脚配置有助于简化PCB布局，支持缩短开关回路，从而减小寄生电感。SiZF4800LDT经过100% Rg和UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。

　　SiHR080N60E采用Vishay先进的高能效E系列超级结技术，10 V下典型导通电阻仅为0.074 Ω，超低栅极电荷下降到42 nC。器件的FOM为3.1 Ω*nC，达到业内先进水平，这些性能参数意味着降低了传导和开关损耗，从而实现节能并提高2 kW以上电源系统的效率。
　　AURIX? TC4x系列符合的ISO/SAE 21434网络安全标准，这一安全设计解决了性能瓶颈问题并支持后量子加密技术。该控制器系列包含一个带有专用内存的网络安全实时模块（CSRM）和一个网络安全卫星（CSS）。CSS提供的加密服务加速器可与ESCRYPT CycurHSM 3.x并行执行，大幅提高了吞吐量。
erni连接器获得这一强大的嵌入式安全，使可穿戴设备和智能家居应用等边缘应用的物联网设计人员能够确保其产品达到安全级别。此外，将硬件安全功能集成到MCU上还开辟了新的边缘计算市场，例如打印机和支付终端，这些产品以前需要使用单独的安全芯片。作为安全领域的，我们致力于帮助设计人员在各种应用中实现安全级别。
　　在封装方面，TGN298系列可提供SOP8 208mil、SOP8 150mil、TSSOP8 173mil、WSON8 (6×5mm)、 WSON8 (8×6mm)等多种封装规格，拥有32Mb、64Mb、128Mb容量选择（未来将推出车规级大容量产品），同时产品pin-to-pin兼容，允许不更改现有设计来增加存储容量，满足设备更大代码存储空间需求。
　　在采用这些新的STM32H7 MCU后，设备厂商可以更快、更经济地开发智能家电、智能楼宇控制器、工业自动化和个人医疗设备，满足终端市场用户日益增长的需求。具体用例包括增加更丰富多彩的图形用户界面，同时执行多个不同的功能。这些设计往往需要用微处理器(MPU)才能实现。

　　MX-DaSH连接器提供密封和非密封型供客户选择，以满足各种环境和设计要求，从而优化下一代汽车架构。该连接器支持多种配置，以适应不同的电源和信号端子尺寸，包括0.50、0.64、1.20、1.50、2.80或4.80毫米尺寸，以及用于高速数据传输的高速FAKRA Mini（HFM）模块。
erni连接器　　自动增益控制旨在与电流检测分流电阻器配合使用，并在 4x 和 512x 之间的多个固定值之间改变输入定标器。对于电压检测，包括电阻输入分压器，可测量高达 19.2 或 28.8V 的满量程。
　　内置ST传感器的摄像头结合了3D视觉和边缘人工智能的力量，为移动机器人提供智能避障和高精度对接。
　　除了机器视觉之外，VD55H1 还适用于 3D 网络摄像头和 PC 应用、VR 耳机的 3D 重建、智能家居和建筑中的人数统计和活动检测。它包含 672 x 804 传感像素，可以通过测量超过 50 万个点的距离来绘制三维表面。
TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。CoolSiC MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率。