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首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET—SiHR080N60E，为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比，Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 %，导通电阻与栅极电荷乘积，即600 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）下降60 %，额定电流高于D2PAK封装器件，同时减小占位面积。
ket接插件搭配ISP(In-System Programming)及IAP(In-Application Programming) 技术方案，可轻易升级韧体。HT32系列可提供UL/IEC 60730-1 Class B MCU 自检程序 (Safety Test Library)，协助客户缩短IEC 60730-1 Class B产品时间。
　　AI Server PSU 的 AC/DC 级采用多级 PFC 实现，功率密度可达到 100 W/in以上，效率可达 99.5%。与使用 650 V SiC MOSFET 的解决方案相比，效率提高了 0.3 个百分点。
　　通过在 DC/DC 级实施 CoolGaN 晶体管，AI 服务器 PSU 的系统解决方案得以完成。

　　HL8545/8545G具有漏极和源极电压钳位，有助于在关断周期内释放继电器、螺线管、泵和电机等电感负载中的能量。电源 (EBAT) 和负载 (ELOAD) 的能量直接在高边电源开关上耗散，通常无需额外的外部电路。这种高效的功率耗散允许在各种负载上进行更广泛的应用。
　　对焦是指调整镜头和感光元件之间的距离，使得感光元件上呈现出清晰的影像，在拍摄时，对焦是直接影响画质清晰度的关键因素之一。而目前常使用的对焦方式仍然是传统的手动对焦，需要摄影师通过旋转对焦环来调整镜头对焦，直到在取景器中看到清晰的影像。
ket接插件　　由MOSFET开关引起的EMC相关问题通常只出现在产品开发周期的后期，解决这些问题可能会产生额外的研发成本并延迟市场发布。典型的解决方案包括使用更昂贵且RDS(on)较低的MOSFET（以减慢开关速度并吸收过多的电压振铃）或安装外部电容缓冲器电路，但这种方法的缺点是会增加元件数量。
提升图像传感器性能，逐渐弥合主摄像头和副摄像头之间的差距，从而在全角度提供一致的摄影体验，这已成为行业发展的新方向。”三星电子执行副总裁兼系统LSI传感器业务团队技术官Jesuk Lee表示，”我们将持续通过集成三星技术进展的图像传感器产品阵容，不断打破技术壁垒，并推进新的行业标准。
Einstar是先临三维基于多年的三维视觉技术积累，结合市场需求，自主研发的一款超高性价比的普及化手持3D扫描仪。尽管身形迷你，但功能却十分全面。Einstar内置多颗红外SFH 4726AS LED，为该扫描仪提供强大且稳定的光照输出。其3D点云数据的点距可达0.1mm，能够高清细腻地还原实物立体形态。

　　当企业面临数据中心资源紧张、工作负载过大等挑战时，IBM FlashSystem 5300可为其提供具有超高性能和可扩展性的全闪存主存储平台，能够帮助各种规模的客户为其对延迟非常敏感的工作负载和高度波动的数据集灵活地选择合适的性能和容量特征。现在，客户还可以通过全新的 IBM Storage Assurance 许可模式，充分利用IBM FlashSystem 5300的优势打造面向未来的存储架构，发挥数据中心投资的价值。
ket接插件　　SPM31 IPM 通过调节三相电机供电的频率和电压来控制热泵和空调系统中变频压缩机和风扇的功率流，以实现出色效率。例如，安森美采用 FS7 技术的 25A SPM31 与上一代产品相比，功率损耗降低达 10%，功率密度提高达 9%。在电气化趋势和更高的能效要求下，这些模块助力制造商大幅改进供暖和制冷系统设计，同时提高能效。安森美的 SPM31 IPM 系列产品采用FS7技术，具备更佳的性能，实现高能效和更低能耗，进一步减少了全球的有害排放。
　　Coherent 高意为 LiDAR 设计提供各种有源和无源产品。有源器件系列涵盖 VCSEL、边缘发射器、激光条、调频连续波（FMCW）源、脉冲光纤光源。无源器件系列则涵盖激光光学器件、多边形扫描镜、振镜、透镜、超窄带滤光片、宽入射角反射镜、光栅和热电器件。
　　TDK株式会社（TSE：6762）推出全新的IPM01系列产品，进一步扩大了其Flexield坡莫合金薄膜片产品阵容。新产品采用超薄（0.006毫米）、轻量型设计，实现了较高的磁导率和损耗。