矢崎
双层铝基板结构、传导冷却功率磁体和高效零电压开关(ZVS)拓扑结合在一起,确保了产品的高水平的效率和优异的热性能。因此,在对流冷却情况下功率可高达300W,传导冷却情况下可达到400W,从而实现密封环境下的运行、静音运行和高可靠性。 矢崎 三星计划通过向移动处理器生产商,和移动设备制造商供应0.65mm的LPDDR5X DRAM芯片,继续扩大低功耗DRAM的市场。随着市场对高性能、高密度且封装尺寸更小的移动存储解决方案的需求持续增长,三星计划开发6层24GB和8层32GB的模组,为未来设备打造超薄的LPDDR DRAM封装。 相较于分立式设计,IHB架构可减少50%的元件数量和30%的P 阅读更多…