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CoolSiC MOSFET 750 V G1技术的特点是出色的RDS(on) x Qfr和卓越的RDS(on) x Qoss优值(FOM),在硬开关和软开关拓扑结构中均具有超高的效率。其独特的高阈值电压(VGS(th),典型值为4.3 V)与低QGD/QGS比率组合具有对寄生导通的高度稳健性并且实现了单极栅极驱动,不仅提高了功率密度,还降低了系统成本。 矢崎连接器官网 近日,识光发布高集成度大面阵 SPAD-SoC SQ100,真正实现灵活分区的 2D 可寻址 SPAD-SoC。SQ100 面向 ADAS 前装量产、L4/5 自动驾驶、机器人、工业自动化等应用,一块芯片即可覆盖短、中、 阅读更多…