安普连接器

　以 9.4mΩ 导通电阻的 UHB100SC12E1BC3N 为代表的这四款 SiC 模块均采用 Qorvo 独特的共源共栅配置，限度地降低了导通电阻和开关损耗，从而能够极大地提升效率，这一优势在软开关应用中尤为显著。另外，银烧结芯片贴装将热阻降至 0.23°C/W；与带“SC”的产品型号中的叠层芯片结构相结合，其功率循环性能比市场同类 SiC 电源模块高出 2 倍。得益于以上特性，这些高度集成的 SiC 电源模块不仅易于使用，而且具有卓越的热性能、高功率密度和高可靠性。
安普连接器　　GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半导体行业——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列，为实现快的开关速度、的效率和功率密度的增进进行优化，将应用于AI数据中心电源、车载充电器（OBCs）、电动汽车超级充电桩以及太阳能/储能系统（ESS）。产品涵盖了从D2PAK-7到TO-247-4的行业标准封装，专为要求苛刻的高功率、高可靠性应用而设计。
　　本工具搭载了AI功能，可以对多个组件探索参数的合理解决方案，通过详细计算，在实现电动车数字孪生化的同时，对各种电机、逆变器、电池、车体等如何组合能实现高效率进行多样化提案。为此，可以在开发初期，对电动车的整体特性进行商讨。

该全新系列中的模块可以取代多达四个分立式 SiC FET，从而简化热机械设计和装配。我们的共源共栅技术还支持以更高的开关频率运行，通过使用更小的外部元件进一步缩小解决方案的尺寸。这些模块的高效率特性可以简化电源设计流程，让我们的客户能够专注做好单一模块的设计、布局、组装、特性分析和，无需应对多个分立式元件。
推出五款采用改良设计的INT-A-PAK封装新型半桥IGBT功率模块—VS-GT100TS065S、VS-GT150TS065S、VS-GT200TS065S、VS-GT100TS065N和VS-GT200TS065N。这些新型器件采用Vishay的Trench IGBT技术制造，为设计人员提供两种业内先进的技术选件—低VCE(ON) 或低Eoff —降低运输、能源及工业应用大电流逆变级导通或开关损耗。
安普连接器　　为了助力OSM更好的应用，研华提供从产品的设计到批量生产以及产品全生命周期管理全方位支持。我们提供全面的设计参考，硬件文档和制造指南，如模板设计建议和IR回流图，以及实用技巧和信息分享，以确保项目成功并缩短上市时间。
此外，为适应更多工业场景的应用，FCS945R新增子型号，支持-40°C ~+85°C的工作温度，进一步拓宽了模组的应用场景。
　　大模型已经成为驱动数字经济深度创新、引领企业业务变革、加速形成新质生产力的重要动能，随着大模型参数量和数据量的极速膨胀，多源异构数据的传、用、管、存，正在成为制约生成式AI落地的瓶颈之一，用户亟需构建更加高效的存储底座。

　　CoolSiC G2的新一代SiC技术能够加速设计成本更加优化，且更加紧凑、可靠、高效的系统，从而节省能源并减少现场每瓦功率的二氧化碳排放量。
安普连接器　　MiNexx3000称重平台既保证了高精度和准确度，又符合所有相关行业标准，如ISO 14001和DIN EN ISO 9001，以及OIML、RoHS、Reach和ATEX等。因此，质量管理人员可以依靠MiNexx3000确保工业过程中的高质量结果，同时满足所有必要的合规要求。
　　新系列的旗舰产品STM32WBA55微控制器可以同时运行多种无线技术标准，包括低功耗蓝牙Bluetooth LE 5.4、Zigbee、Thread和Matter(Thread RCP)。Matter边界路由器和STM32WBA5是实现这种智能家居和物联网设备开源连接新标准的完美组合。因此，STM32WBA55支持更好的用户体验，同时能够简化软硬件工程师的开发过程，降低新产品的成本，加快上市时间。
全新的OX05D10是我们采用TheiaCel?技术的汽车传感器系列的产品，与我们去年9月在布鲁塞尔AutoSens展会上发布的800万像素传感器OX08D10属于同一系列。得益于TheiaCel?技术，OX05D10能够在不牺牲图像质量的前提下实现优异的LFM功能，而且OX05D10还保留了汽车厂商要求的重要功能，包括低光性能、小尺寸和低功耗。我们扩大了产品线，方便客户根据自身需求，在800万像素和500万像素两款产品之间进行选择。